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    漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    25

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基于（yú）超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET


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